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芯片是需要设计的,也需要相匹配的离子注入设备才行,并不是说拥有光刻机就可以制备相对应的芯片了。
关于这一点,IBM公司他们虽然也从华悦计算器和华欣收音机等,了解到其中的差异。
众所周不知,离子注入设备是半导体制程中最为关键的工艺技术,是通过控制离子束的能量和剂量,可以改变材料的性质和结构。
作为核心部分,整个过程就包括了清洗晶圆、氧化、导电金属沉积、光刻和刻蚀等步骤。
设计师需要根据芯片的功能、性能、功耗等要求,使用专业的软件工具来绘制芯片的电路图和版图,进行仿真、验证和优化。
并且这台光刻机还能够制造内置一万枚晶体管的芯片,甚至是五万枚晶体管芯片,如果他们拥有这样的技术工艺的话。
当然了,几年前流行的磁芯板这样的存储器,已经是过时了,毕竟二者之间技术工艺不在同一个时代。
而它的制造过程又涉及到了铸造、切割、表面抛光等几个子步骤。
晶圆是芯片的基本原材料,它是有单晶硅或其他半导体材料制成的圆形薄片。
毕竟内存字节,太少了,没有碾压性的优势。
邱宗岳带走了陈国华,就在旁边不远处的树林里,除了警卫员和龙康侯在附近之外,就没其他人了。
根据不同时代的技术工艺,会有不同的工艺区别,其中离子注入设备和光刻机这两大核心设备,就不得不提一下了。
985工厂等兄弟单位在前几年有使用过这样一款光刻机,良品率就是在这之上。
制造加工主要用于完成集成电路中的基本元件,也就是晶体管的制造。
所以它的芯片设计工艺,跟IBM公司他们的芯片设计工艺,看起来就没有多大的差异。
或者说,他们根本都没有进行细分这些问题。
实际
九年的时候,就提出过一个技术设想:
“既然能用光刻法制造单个晶体管,那为什么不能用光刻法来批量制造晶体管呢?”
“把多种组件放在单一硅片上将能够实现工艺流程中的组件内部连接,这样体积和重量就会减小,价格也会降低。”
也因此,仙童半导体公司这才开始将光刻工艺尝试应用于晶体管批量制造。
为此,罗伯特诺伊斯还提出了平面技术的设想。
后来仙童半导体的八叛逆中的琼赫尔尼,他发明了光学蚀刻的处理方法,实现了诺伊斯的这种平面技术。
这种方法有些类似于利用底片冲洗照片的过程。
开始,琼赫尔尼用的是一片锗或硅,然后他在上面喷洒上一层叫做光阻剂的物质。
如果把光照在上面,光阻剂就会变得坚硬,然后就可以用一种特殊的化学药品清除掉没有被光照射到的光阻剂。
所以,赫尔尼就创造了一个光罩,它就像一张底片,上面有一簇小孔,用来过滤掉不清洁的东西,然后让它在光线中翻动。
在化学洗涤之后,金属板上只要是留下光阻剂的地方,杂质就不会散落到下面,以此来解决平面晶体管的可靠性问题。
从光刻机的发展史来看,六十年代初期是接触式光刻机,也就是诺伊斯他们最先研制出来的遮蔽式光刻机。
这玩意儿是被陈国华遗弃,然后被中科院计算机研究所的闵乃大、吴几康他们捡起来,但最后还是被遗弃的一种落后工艺。
之前,陈国华安排林志武他们这些芯片工程师进行制备五百枚晶体管芯片时,使用的则是接近式光刻
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